传台积电3nm良品率出现问题,或影响相关厂商的芯片计划

此前报道指,台积电(TSMC)将在 2022 年下半年量产 N3 制程节点,并计划推出名为 N3E 的增强型 3nm 工艺,将拥有更好的性能和功耗表现,量产时间为 2023 年下半年。此外,还可能推出成本和设计有所差异的 N3B 等方案。在去年末,台积电已经在 Fab 18 中启动了 3nm 芯片的试生产。

据 DigiTimes 报道,台积电的 N3 制程节点方案未能顺利推进,已不断进行修正,但良品率等整体效能的提升进度仍低于预期,甚至在某些部分出现困难,需要重新安排,导致苹果等多家客户近期下单均以 N5 制程节点及其衍生的工艺为主,扩大了 N4、N4P 和 N4X 等工艺的使用。台积电 N3 制程节点专为智能手机和高性能计算(HPC)芯片而设计,在 N5 制程节点上进一步应用极紫外光刻(EUV)技术,光罩层数将超过 20 层。台积电承诺 N3 工艺相比 N5 工艺,性能可提高 10%-15%,或者降低 25%-30% 的功耗。

台积电总裁魏哲家曾表示,N3 制程节点仍使用 FinFET 晶体管的结构,是为客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。在台积电 3nm 工艺技术推出的时候,将成为业界最先进的 PPA 和晶体管技术,N3 制程节点将成为台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。早有传闻指,英特尔和苹果已率先获得台积电 N3 制程节点的产能。前者计划将该工艺使用在 2023 年发布的 Meteor Lake 上,制造 GPU 模块;后者则首先用在 2023 年新款 iPad 搭载的芯片上,目前在时间上也非常勉强。

台积电的 3nm 计划推进缓慢,甚至催生备用方案,本是三星追赶的好时机。不过三星在 7nm 及以下工艺上的研发也一直不顺利,使得 5nm 客户寥寥无几,近期 4nm 工艺因效能问题也备受争议。虽然三星在 3nm 制程节点引入了全新的 GAAFET 全环绕栅极晶体管工艺,并计划在 2022 年上半年量产第一代 3nm 工艺,不过外界并不看好。毕竟台积电在 N3 制程节点只是沿用 FinFET 晶体管,目前也遭遇了不小的困难,三星想越级使用,只会难上加难。尽管三星报价优惠,估计厂商普遍也不敢冒险使用。三星已在 3nm 计划里投下巨资,如果不达预期,或许难以收回成本导致项目亏损。

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